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微电路综合
微电路综合
| 标准号 | 标准名称 |
|---|---|
| GB/Z 255-2026 | 类脑计算 神经拟态芯片计算能力测试方法 |
| GB/T 3430-1989 | 半导体集成电路型号命名方法 |
| GB/T 7092-1993 | 半导体集成电路外形尺寸 |
| GB/T 7092-2021 | 半导体集成电路外形尺寸 |
| GB/T 8976-1996 | 膜集成电路和混合膜集成电路总规范 |
| GB/T 9178-1988 | 集成电路术语 |
| GB/T 11498-1989 | 膜集成电路和混合膜集成电路分规范 (采用鉴定批准程序) (可供认证用) |
| GB/T 12750-1991 | 半导体集成电路分规范 (不包括混合电路) (可供认证用) |
| GB/T 12842-1991 | 膜集成电路和混合膜集成电路术语 |
| GB/T 12843-1991 | 半导体集成电路 微处理器及外围接口电路电参数测试方法的基本原理 |
| GB/T 13062-1991 | 膜集成电路和混合膜集成电路空白详细规范 (可供认证用) |
| GB/T 14028-1992 | 半导体集成电路模拟开关测试方法的基本原理 |
| GB/T 14029-1992 | 半导体集成电路模拟乘法器测试方法的基本原理 |
| GB/T 14030-1992 | 半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理 |
| GB/T 14031-1992 | 半导体集成电路模拟锁相环测试方法的基本原理 |
| GB/T 14032-1992 | 半导体集成电路数字锁相环测试方法的基本原理 |
| GB/T 14112-1993 | 半导体集成电路 塑料双列封装冲制型引线框架规范 |
| GB/T 14113-1993 | 半导体集成电路封装术语 |
| GB/T 14862-1993 | 半导体集成电路封装结到外壳热阻测试方法 |
| GB/T 15138-1994 | 膜集成电路和混合集成电路外形尺寸 |
| GB/T 15297-1994 | 微电路模块机械和气候试验方法 |
| GB/T 15431-1995 | 微电路模块总规范 |
| GB/T 15876-1995 | 塑料四面引线扁平封装引线框架规范 |
| GB/T 15877-1995 | 蚀刻型双列封装引线框架规范 |
| GB/T 15878-1995 | 小外形封装引线框架规范 |
| GB/T 15879-1995 | 半导体器件的机械标准化 第5部分：用于集成电路载带自动焊(TAB)的推荐值 |
| GB/T 15879.4-2019 | 半导体器件的机械标准化第4部分：半导体器件封装外形的分类和编码体系 |
| GB/T 15879.5-2018 | 半导体器件的机械标准化第5部分∶用于集成电路载带自动焊（TAB）的推荐值 |
| GB/T 15879.604-2023 | 半导体器件的机械标准化 第6-4部分：表面安装半导体器件封装外形图绘制的一般规则 焊球阵列（BGA）封装的尺寸测量方法 |
| GB/T 16464-1996 | 半导体器件 集成电路 第1部分：总则 |
| GB/T 16465-1996 | 膜集成电路和混合膜集成电路分规范(采用能力批准程序) |
| GB/T 16466-1996 | 膜集成电路和混合膜集成电路空白详细规范(采用能力批准程序) |
| GB/T 16525-1996 | 塑料有引线片式载体封装引线框架规范 |
| GB/T 16526-1996 | 封装引线间电容和引线负载电容测试方法 |
| GB/T 17023-1997 | 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路 第三篇HCMOS数字集成电路54 74HC、54 74HCT、54 74HCU系列空白详细规范 |
| GB/T 17024-1997 | 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路 第三篇HCMOS数字集成电路54 74HC、54 74HCT、54 74HCU系列空白详细规范 |
| GB/T 17574-1998 | 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路 |
| GB/T 19248-2003 | 封装引线电阻测试方法 |
| GB/T 20296-2006 | 集成电路记忆法与符号 |
| GB/T 20296-2012 | 集成电路记忆法与符号 |
| GB/T 26111-2010 | 微机电系统(MEMS)技术 术语 |
| GB/T 26112-2010 | 微机电系统（MEMS）技术 微机械量评定总则 |
| GB/T 26113-2010 | 微机电系统（MEMS）技术 微几何量评定总则 |
| GB/T 26113-2010 | (EN)Micro-electromechanical system technology - General rules for the assessment of micro-geometrical parameters |
| GB/T 28274-2012 | 硅基MEMS制造技术 版图设计基本规则 |
| GB/T 28275-2012 | 硅基MEMS制造技术 氢氧化钾腐蚀工艺规范 |
| GB/T 28276-2012 | 硅基MEMS制造技术 体硅溶片工艺规范 |
| GB/T 28277-2012 | 硅基MEMS制造技术 微键合区剪切和拉压强度检测方法 |
| GB/T 32814-2016 | 硅基MEMS制造技术 基于SOI硅片的MEMS工艺规范 |
| GB/T 32815-2016 | 硅基MEMS制造技术 体硅压阻加工工艺规范 |
| GB/T 32816-2016 | 硅基MEMS制造技术 以深刻蚀与键合为核心的工艺集成规范 |
| GB/T 32817-2016 | 半导体器件 微机电器件 MEMS总规范 |
| GB/T 33922-2017 | MEMS压阻式压力敏感芯片性能的圆片级试验方法 |
| GB/T 33929-2017 | MEMS高g值加速度传感器性能试验方法 |
| GB/T 34893-2017 | 微机电系统（MEMS）技术 基于光学干涉的MEMS微结构面内长度测量方法 |
| GB/T 34894-2017 | 微机电系统（MEMS）技术 基于光学干涉的MEMS微结构应变梯度测量方法 |
| GB/T 34898-2017 | 微机电系统（MEMS）技术 MEMS谐振敏感元件非线性振动测试方法 |
| GB/T 34899-2017 | 微机电系统（MEMS）技术 基于拉曼光谱法的微结构表面应力测试方法 |
| GB/T 34900-2017 | 微机电系统（MEMS）技术 基于光学干涉的MEMS微结构残余应变测量方法 |
| GB/T 35005-2018 | 集成电路倒装焊试验方法 |
| GB/T 35010.1-2018 | 半导体芯片产品第1部分∶采购和使用要求 |
| GB/T 35010.2-2018 | 半导体芯片产品第2部分∶数据交换格式 |
| GB/T 35010.3-2018 | 半导体芯片产品 第3部分：操作、包装和贮存指南 |
| GB/T 35010.4-2018 | 半导体芯片产品第4部分∶芯片使用者和供应商要求 |
| GB/T 35010.5-2018 | 半导体芯片产品 第5部分：电学仿真要求 |
| GB/T 35010.6-2018 | 半导体芯片产品 第6部分：热仿真要求 |
| GB/T 35010.7-2018 | 半导体芯片产品 第7部分：数据交换的XML格式 |
| GB/T 35010.8-2018 | 半导体芯片产品 第8部分：数据交换的EXPRESS格式 |
| GB/T 35086-2018 | MEMS电场传感器通用技术条件 |
| GB/T 36479-2018 | 集成电路 焊柱阵列试验方法 |
| GB/T 36614-2018 | 集成电路存储器引出端排列 |
| GB/T 38341-2019 | 微机电系统（MEMS）技术 MEMS器件的可靠性综合环境试验方法 |
| GB/T 38446-2020 | 微机电系统（MEMS）技术 带状薄膜抗拉性能的试验方法 |
| GB/T 38447-2020 | 微机电系统（MEMS）技术 MEMS结构共振疲劳试验方法 |
| GB/T 38762.1-2020 | 产品几何技术规范（GPS） 尺寸公差 第1部分：线性尺寸 |
| GB/T 38762.2-2020 | 产品几何技术规范（GPS） 尺寸公差 第2部分：除线性、角度尺寸外的尺寸 |
| GB/T 38762.3-2020 | 产品几何技术规范（GPS） 尺寸公差 第3部分：角度尺寸 |
| GB/T 41852-2022 | 微机电器件 MEMS结构黏结强度的弯曲和剪切试验方法 |
| GB/T 41853-2022 | 半导体器件 微机电器件 晶圆间键合强度测量 |
| GB/T 42706.1-2023 | 电子元器件 半导体器件长期贮存 第1部分：总则 |
| GB/T 42972-2023 | 微波电路 检波器测试方法 |
| GB/T 43027-2023 | 高压电源变换器模块测试方法 |
| GB/T 43040-2023 | 半导体集成电路 AC/DC变换器测试方法 |
| GB/T 43061-2023 | 半导体集成电路 PWM控制器测试方法 |
| GB/Z 43510-2023 | 集成电路TSV三维封装可靠性试验方法指南 |
| GB/T 43536.1-2023 | 三维集成电路 第1部分：术语和定义 |
| GB/T 43538-2023 | 集成电路金属封装外壳质量技术要求 |
| GB/T 43931-2024 | 宇航用微波集成电路芯片通用规范 |
| GB/T 43939-2024 | 宇航用石英挠性加速度计伺服电路通用测试方法 |
| GB/T 43940-2024 | 4Mb/s数字式时分制指令/响应型多路传输数据总线测试方法 |
| GB/T 44775-2024 | 集成电路三维封装 芯片叠层工艺过程和评价要求 |
| GB/T 44791-2024 | 集成电路三维封装 带凸点圆片减薄工艺过程和评价要求 |
| GB/T 44796-2024 | 集成电路三维封装 带凸点圆片划片工艺过程和评价要求 |
| GB/T 45720-2025 | 半导体器件 栅介质层的时间相关介电击穿（TDDB）试验 |
| GB/T 46280.1-2025 | 芯粒互联接口规范 第1部分：总则 |
| GB/T 46280.2-2025 | 芯粒互联接口规范 第2部分：协议层技术要求 |
| GB/T 46280.3-2025 | 芯粒互联接口规范 第3部分：数据链路层技术要求 |
| GB/T 46280.4-2025 | 芯粒互联接口规范 第4部分：基于2D封装的物理层技术要求 |
| GB/T 46280.5-2025 | 芯粒互联接口规范 第5部分：基于2.5D封装的物理层技术要求 |
| GB/T 47725-2026 | 微机电系统（MEMS）技术 硅通孔三维结构可靠性评价要求 |
| GB/T 47753-2026 | 微机电系统（MEMS）技术 车规级MEMS半导体气体传感器技术规范 |
| GB/T 48178-2026 | 集成电路电子设计自动化工具测试方法 |
| GB/T 48179-2026 | 集成电路电子设计自动化工具术语 |
